第57章 生長的晶體
「很厲害，短短一天時間不到就掌握了。」
包仲文看著李觀說道，心中泛起異樣的情緒，這麼好的苗子搞數學可惜了。
「老沈跟我說了是你強烈要求過來進我的課題組的，我能問問是什麼原因嗎？」
包仲文見李觀有些猶豫，接著說道：「你跟老沈那個搞理論的說不清楚，你跟我說，我全力給你提供幫助。」
聽到這，李觀心中終於做好了決定。
不要看李觀輕輕鬆鬆就進了包仲文的課題組，其實他的課題組的保密級別是相當高的，雖然技術暫時還落後於世界。
並且就算MoS₂電晶體研發出來，也還需要專業的人士不斷地推進，不斷地疊代技術使之能一直保持世界領先地位，這樣才能完成真正的崛起。
全靠自己一人，怕真是智商欠費了。
「我想試著做一種新的電晶體，之前是在外國期刊上看到的，直覺告訴我它很有潛力，當然在製備工藝上我做了一些優化。」
李觀半真半假地說道，他確實是查了，也確實有人發現這種物質具有一定的遷移率，但根本無法完成晶圓級單晶，只有微米級的小片，這就是數百倍的差距。
而李觀從材料中獲得的辦法是讓他自己長出來，在二維液面上限域生長。這簡直就是從意識到水蒸氣很熱，到真正邁入蒸汽時代的巨大飛躍。
「什麼材料的？」包仲文疑惑地問道，最近最火的就是石墨烯了，但它的特性決定了它不能成為晶片的材料，這孩子不會是想研究石墨烯吧？
「MoS₂場效應電晶體。」
「二硫化鉬？沒聽說過這種材料能當晶片的啊？你準備怎麼製備？我好像就看過一兩篇論文提到過，但我沒記錯的話，他的遷移率極限也就在四五百吧？」
遷移率是半導體物理中的一個核心參數，用來衡量電荷載流子的遷移能力。簡單來說遷移率越高，電子在材料中就跑得越快越順暢，反之亦然。
所以一個材料能不能當做晶片，這個是重要指標之一。當前使用的矽基材料遷移率的理論上限是不超過1000–1500 cm²/(V·s)。
而二維MoS₂電晶體的遷移率上限只有400cm²/(V·s)，這也是當前沒有太多人去深入研究這種材料的原因。
但在製程方面，二維MoS₂的最大優勢就顯現了出來，其單層厚度僅約 0.65納米，而目前最常用的矽基電晶體中最小單位的物理厚度卻在5納米以上。
這還是後世在不斷逼近摩爾定律的極限，持續推進電晶體微縮後的成果。
而2010年的現在，即使最先進的實驗室里的矽電晶體溝道厚度也在10nm以上，這就是數十倍的差距。
當然最重要的是，二維MoS₂電晶體的製備不需要先進位程的光刻機的參與，僅僅90nm的光刻機就夠了。
「我準備試試，只需要一些硫和鉬就可以。」
「我全力支持你，一會兒你找趙宇，讓他帶你去取材料。」包仲文大手一揮，表示自己的態度。
他這麼積極的主要原因還是希望在試驗後，李觀能留下來跟著他搞半導體，不要再回數院那個玄虛的地方了。殊不知，李觀只是一個還沒考上大學的高中生，就連沈建國都不能確定對方會跟著他去數院。
「謝謝包教授。」
說干就干，李觀出了潔淨區，跑去吃了個飯。不過他並不怎麼餓，而且還不累，依然是精力滿滿。
「好強大的活躍狀態，不知道如果每天跑三公里不吃飯不睡覺會不會餓死，或者猝死啊？有點違反能量定律了吧？」
李觀只是想想，也不敢真的嘗試，畢竟命只有一條，作死就真的會死。
「李觀？」
李觀一扭頭，看見是周雪妍和那名與她今天同時入組的新人，原來已經到了晚飯的時間，這實驗一做就是六七個小時，沒個強大的體魄還真不行。要是沒「活躍狀態」，他怕是要昏倒在實驗室里。
「周學姐。」
李觀打了個招呼，繼續埋頭快速扒拉著自己的炒飯，他急切地要完成接下來的實驗，否則拖到下周，還不知道下個月新的海克斯能不能在外地觸發。
「你好，我是林常偉。」那名同行的人主動走上來跟李觀打著招呼。
「哦哦，你好，我是李觀。」李觀依然快速地扒著炒飯。
「請問你是私下認識包仲文教授嗎？我聽周同學說你也是今天剛進組。但顯而易見教授非常青睞你，是有什麼訣竅嗎？」
林常偉絲毫沒有掩飾自己的不滿，或者說是怨念。
同是一天進組，對方卻能一上來就進實驗室獨立做實驗，而自己卻擱那背了一天的條例規範，這怎麼都解釋不通。
李觀聽見這話抬頭看了眼林常偉，覺得這孩子腦子多少有點大病。
不過後世開畫室的時候確實也見過不少這樣的家長，有一上來就問自家孩子到時候考不上央美能不能退費的，這都還算輕量級的。
還有些上來就不願意交錢，非說自家孩子是天才，說到時候能給畫室打GG，是畫室賺了的。
李觀只能表示腦迴路清奇，請不起這尊大神。
「不認識，靠腦子。」李觀依然快速地扒飯。
「我吃完了，我先回實驗室了。」
不待對方繼續說些什麼，李觀立刻站起來告辭。
這種人看起來傻，其實最精了，到時候他什麼也沒學會就該怨老師怨同學怨學校，一點也不內耗。
還是遠離他為好，這黑鍋他可不想背。
看著李觀快步離開的背影，林常偉正想扭頭跟周雪妍抱怨幾句，卻發現她也不見了蹤影，這波是英雄所見略同了。
李觀回到了實驗室，發現趙宇還沒有回來，他索性坐在辦公室裡面，一邊整理著實驗思路一邊等著他。
所有的步驟又在李觀心中一一過了一遍，從最初的在CVD生長單晶薄膜，一直到最後的光刻機光刻電極，一步不落的在他心中「實操」了一遍。
而在這之中，最難的無疑是用ALD沉積頂柵介質，實驗室中的那台設備還是今年剛引進的，連老包使用都不怎麼熟練。
包仲文看著李觀說道，心中泛起異樣的情緒，這麼好的苗子搞數學可惜了。
「老沈跟我說了是你強烈要求過來進我的課題組的，我能問問是什麼原因嗎？」
包仲文見李觀有些猶豫，接著說道：「你跟老沈那個搞理論的說不清楚，你跟我說，我全力給你提供幫助。」
聽到這，李觀心中終於做好了決定。
不要看李觀輕輕鬆鬆就進了包仲文的課題組，其實他的課題組的保密級別是相當高的，雖然技術暫時還落後於世界。
並且就算MoS₂電晶體研發出來，也還需要專業的人士不斷地推進，不斷地疊代技術使之能一直保持世界領先地位，這樣才能完成真正的崛起。
全靠自己一人，怕真是智商欠費了。
「我想試著做一種新的電晶體，之前是在外國期刊上看到的，直覺告訴我它很有潛力，當然在製備工藝上我做了一些優化。」
李觀半真半假地說道，他確實是查了，也確實有人發現這種物質具有一定的遷移率，但根本無法完成晶圓級單晶，只有微米級的小片，這就是數百倍的差距。
而李觀從材料中獲得的辦法是讓他自己長出來，在二維液面上限域生長。這簡直就是從意識到水蒸氣很熱，到真正邁入蒸汽時代的巨大飛躍。
「什麼材料的？」包仲文疑惑地問道，最近最火的就是石墨烯了，但它的特性決定了它不能成為晶片的材料，這孩子不會是想研究石墨烯吧？
「MoS₂場效應電晶體。」
「二硫化鉬？沒聽說過這種材料能當晶片的啊？你準備怎麼製備？我好像就看過一兩篇論文提到過，但我沒記錯的話，他的遷移率極限也就在四五百吧？」
遷移率是半導體物理中的一個核心參數，用來衡量電荷載流子的遷移能力。簡單來說遷移率越高，電子在材料中就跑得越快越順暢，反之亦然。
所以一個材料能不能當做晶片，這個是重要指標之一。當前使用的矽基材料遷移率的理論上限是不超過1000–1500 cm²/(V·s)。
而二維MoS₂電晶體的遷移率上限只有400cm²/(V·s)，這也是當前沒有太多人去深入研究這種材料的原因。
但在製程方面，二維MoS₂的最大優勢就顯現了出來，其單層厚度僅約 0.65納米，而目前最常用的矽基電晶體中最小單位的物理厚度卻在5納米以上。
這還是後世在不斷逼近摩爾定律的極限，持續推進電晶體微縮後的成果。
而2010年的現在，即使最先進的實驗室里的矽電晶體溝道厚度也在10nm以上，這就是數十倍的差距。
當然最重要的是，二維MoS₂電晶體的製備不需要先進位程的光刻機的參與，僅僅90nm的光刻機就夠了。
「我準備試試，只需要一些硫和鉬就可以。」
「我全力支持你，一會兒你找趙宇，讓他帶你去取材料。」包仲文大手一揮，表示自己的態度。
他這麼積極的主要原因還是希望在試驗後，李觀能留下來跟著他搞半導體，不要再回數院那個玄虛的地方了。殊不知，李觀只是一個還沒考上大學的高中生，就連沈建國都不能確定對方會跟著他去數院。
「謝謝包教授。」
說干就干，李觀出了潔淨區，跑去吃了個飯。不過他並不怎麼餓，而且還不累，依然是精力滿滿。
「好強大的活躍狀態，不知道如果每天跑三公里不吃飯不睡覺會不會餓死，或者猝死啊？有點違反能量定律了吧？」
李觀只是想想，也不敢真的嘗試，畢竟命只有一條，作死就真的會死。
「李觀？」
李觀一扭頭，看見是周雪妍和那名與她今天同時入組的新人，原來已經到了晚飯的時間，這實驗一做就是六七個小時，沒個強大的體魄還真不行。要是沒「活躍狀態」，他怕是要昏倒在實驗室里。
「周學姐。」
李觀打了個招呼，繼續埋頭快速扒拉著自己的炒飯，他急切地要完成接下來的實驗，否則拖到下周，還不知道下個月新的海克斯能不能在外地觸發。
「你好，我是林常偉。」那名同行的人主動走上來跟李觀打著招呼。
「哦哦，你好，我是李觀。」李觀依然快速地扒著炒飯。
「請問你是私下認識包仲文教授嗎？我聽周同學說你也是今天剛進組。但顯而易見教授非常青睞你，是有什麼訣竅嗎？」
林常偉絲毫沒有掩飾自己的不滿，或者說是怨念。
同是一天進組，對方卻能一上來就進實驗室獨立做實驗，而自己卻擱那背了一天的條例規範，這怎麼都解釋不通。
李觀聽見這話抬頭看了眼林常偉，覺得這孩子腦子多少有點大病。
不過後世開畫室的時候確實也見過不少這樣的家長，有一上來就問自家孩子到時候考不上央美能不能退費的，這都還算輕量級的。
還有些上來就不願意交錢，非說自家孩子是天才，說到時候能給畫室打GG，是畫室賺了的。
李觀只能表示腦迴路清奇，請不起這尊大神。
「不認識，靠腦子。」李觀依然快速地扒飯。
「我吃完了，我先回實驗室了。」
不待對方繼續說些什麼，李觀立刻站起來告辭。
這種人看起來傻，其實最精了，到時候他什麼也沒學會就該怨老師怨同學怨學校，一點也不內耗。
還是遠離他為好，這黑鍋他可不想背。
看著李觀快步離開的背影，林常偉正想扭頭跟周雪妍抱怨幾句，卻發現她也不見了蹤影，這波是英雄所見略同了。
李觀回到了實驗室，發現趙宇還沒有回來，他索性坐在辦公室裡面，一邊整理著實驗思路一邊等著他。
所有的步驟又在李觀心中一一過了一遍，從最初的在CVD生長單晶薄膜，一直到最後的光刻機光刻電極，一步不落的在他心中「實操」了一遍。
而在這之中，最難的無疑是用ALD沉積頂柵介質，實驗室中的那台設備還是今年剛引進的，連老包使用都不怎麼熟練。