第58章 命運的搖頭
「東西都放這兒了，不用幫忙嗎？」趙宇將材料放在了一旁，問著正調試著設備的李觀。
「謝謝師兄，你忙你的就行。」李觀專注地看著儀器上的數字，其實他是在最後一遍對照腦中的資料整理著實驗步驟。
「那我就先過去了。」
趙宇說完就出了實驗室。
其實實驗室的這些器材基本上每次使用都要排隊，大家做一次實驗最少也要分成兩次來。
但正好今天老包過來開組會的時候，強調了讓大家整理數據，調整實驗步驟。所有人這會兒基本都在辦公區整理數據寫報告，這就方便了李觀。
「溫度750℃，比例十比一。」
李觀將材料按比例投放，操作CVD開始升溫至反應溫度。
大約四十分鐘以後，絲毫沒有感覺到疲憊的李觀，雙眼緊盯著窗口採集信號。
「曲線比對一致，資料中顯示的成核期應該就在現在。」
李觀手指懸停在停止按鈕上，大約等待了三分鐘的時間，他立即按下了停止鍵。
他鬆了一口氣，雖然還沒有看到實驗結果如何，但在它冷卻的期間自己卻是可以放鬆下了，無論成功與否，已經不能更改了。
「活躍狀態」雖然帶給他充沛的精力，但心理上和精神上的壓力還是只能自己承擔。
單晶MoS₂在降溫過程中需要極其緩慢，否則不到1nm厚度的材料極易開裂或者脫落，一旦如此就只能重頭再來。
而這個時間少說也要一個小時，李觀正好趁這個時間出去透透氣。從進來到現在也將近兩個小時了，雖然室內溫度比較低沒怎麼出汗，但穿個無塵服也實在不怎麼舒服。
「做完了？結果怎麼樣？」
趙宇見李觀換衣服出來上前問道。
雖然馬上到晚上九點了，但實驗室還是有大半的人沒有走。聽見趙宇的聲音，有幾人的目光朝這裡看了過來。
「還行吧，正在冷卻，一會兒才能知道。」
李觀笑了笑，沒有說更多的內容。在座的沒有人知道李觀正在用CVD生成單晶薄膜，都以為李觀還在做之前的沉積矽片。
要是讓他們發現李觀的實驗內容，怕是所有人都要立馬起立。
鉬原子和硫原子在爐子內高溫活化，再在襯底的缺陷處結合成核。有了核後續的活化原子不再無序，而是在壓力下紛紛沿著晶核邊緣有序排列形成完美的六邊形薄片，就如冬日窗戶上結的薄霜。
這與多晶矽沉積的實驗難度根本就不在一個層級，這是肉眼難以觀察的原子層級的微觀實驗。
「順利就行，我們做實驗就是要有耐心，你看我們實驗室里誰沒有做廢過材料。失敗再站起來，走錯路就重走，迷茫了就歇歇腳重新出發。只要不灰心，命運總會在不經意間找上你。」
還沒走的向飛鵬聽到這話，有些無奈地撇了撇嘴。大師兄哪都好，就是有點老媽子了。平時老包不在的時候，都是他在解答開導其他師兄弟。久而久之，就這樣了，雞湯隨時掛在嘴邊。
可現在站在那兒的那位做出的矽片，遷移率可是還要超過老包的，這是他下午吃完飯回來碰見老包後專門問的。
他還嘲笑了老包兩句，不出所料被制裁了。給他下了封口令。
命運怕是見了這位都得羞愧難當，哭著說自己沒用。
「你自己把握好分寸，別逼自己太緊。」
趙宇見李觀一待實驗室就是一天，還是沒忍住多嘴了幾句，無塵服穿著有多難受他們最清楚。
「謝謝師兄，我記住了。」
李觀認真地點了點頭，他能感受到對方話語裡真切的關心。
九點出頭的時候大多數的人都離開了實驗室，就剩寥寥幾人一臉愁容的看著實驗數據。
李觀看了眼時間，再次穿戴妥當進了潔淨區。
「他怎麼又進去了？」
「誰知道？實驗沒做完？」
「有點太卷了吧。」
「聽老向說他下午做的實驗數據，比老包之前最高的那次還要好。」
「真的假的？」
「我也聽說了，說是遷移率直接干到300了，還是老包親自檢測的數據。」
「這麼嚇人？哪兒來的大神啊？清北的？科院沒聽說過這號啊？」
潔淨室里的李觀根本聽不到外面大家的議論，聽到也只會一笑而過，當下最重要的是觀察二硫化鉬單晶薄膜是否製備成功。
「真成了！」
從顯微鏡中看到薄膜的時候李觀有些開心，他在做之前並不能保證百分百的成功率，甚至只有一半一半的把握。
一半成，一半重來。
畢竟是完全不同的技術路線，尤其是只要單晶而不堆疊，這非常考驗他的技術。
這下成了，他的心也放下了一半。
「接下來就該靜電轉印了。」
他啟動靜電印章，靜電力瞬間捕獲了這片單晶薄膜，他緩緩地將其轉移至新的SiO₂襯底，全程沒有任何的污染，畢竟納米層級有一絲的沾染都只有失敗的結局。
「接下來就是最為困難的一步了。」
如果說前面是五五開，那這個步驟就只有三七開了，李觀做好了失敗的準備。不行就凌晨出去跑三公里，強制重啟新一天，連夜重開。
他將襯片轉移進了ALD腔內。
「通氮吹掃，溫度升至150°C。」
李觀有些緊張地默念著，按下了啟動鍵。
腔內溫度穩定後，三甲基鋁脈衝注入，分子在薄膜表面吸附，與之反應形成了單層Al–CH₃，多餘的被氮氣吹走。
接著水蒸氣脈衝注入，水解了殘留物，在薄膜表面生成了Al₂O₃。
這樣循環一次僅能生長0.11nm，而需要3nm厚度就需要循環30次，要保證吸附均勻，一次不能出錯。否則後續就會像被搭歪了的積木一般，前功盡棄。
「穩住。」
李觀心中默念，設定了30次循環。
監控屏幕上，顯示著材料質量在逐步增加。半個小時後，沉積完成。
「好像是成了？」
一直在一旁觀察的李觀極為緊張。比馬上要五殺了，對方最後一人也就絲血了，但身旁卻突然亮起了兩道閃現的亮光來的還要緊張。
他有些緊張地看著顯微鏡下的畫面，平整，均勻，無雜質。
「成了！真成了！」
「我必須立馬開始光刻！」
「謝謝師兄，你忙你的就行。」李觀專注地看著儀器上的數字，其實他是在最後一遍對照腦中的資料整理著實驗步驟。
「那我就先過去了。」
趙宇說完就出了實驗室。
其實實驗室的這些器材基本上每次使用都要排隊，大家做一次實驗最少也要分成兩次來。
但正好今天老包過來開組會的時候，強調了讓大家整理數據，調整實驗步驟。所有人這會兒基本都在辦公區整理數據寫報告，這就方便了李觀。
「溫度750℃，比例十比一。」
李觀將材料按比例投放，操作CVD開始升溫至反應溫度。
大約四十分鐘以後，絲毫沒有感覺到疲憊的李觀，雙眼緊盯著窗口採集信號。
「曲線比對一致，資料中顯示的成核期應該就在現在。」
李觀手指懸停在停止按鈕上，大約等待了三分鐘的時間，他立即按下了停止鍵。
他鬆了一口氣，雖然還沒有看到實驗結果如何，但在它冷卻的期間自己卻是可以放鬆下了，無論成功與否，已經不能更改了。
「活躍狀態」雖然帶給他充沛的精力，但心理上和精神上的壓力還是只能自己承擔。
單晶MoS₂在降溫過程中需要極其緩慢，否則不到1nm厚度的材料極易開裂或者脫落，一旦如此就只能重頭再來。
而這個時間少說也要一個小時，李觀正好趁這個時間出去透透氣。從進來到現在也將近兩個小時了，雖然室內溫度比較低沒怎麼出汗，但穿個無塵服也實在不怎麼舒服。
「做完了？結果怎麼樣？」
趙宇見李觀換衣服出來上前問道。
雖然馬上到晚上九點了，但實驗室還是有大半的人沒有走。聽見趙宇的聲音，有幾人的目光朝這裡看了過來。
「還行吧，正在冷卻，一會兒才能知道。」
李觀笑了笑，沒有說更多的內容。在座的沒有人知道李觀正在用CVD生成單晶薄膜，都以為李觀還在做之前的沉積矽片。
要是讓他們發現李觀的實驗內容，怕是所有人都要立馬起立。
鉬原子和硫原子在爐子內高溫活化，再在襯底的缺陷處結合成核。有了核後續的活化原子不再無序，而是在壓力下紛紛沿著晶核邊緣有序排列形成完美的六邊形薄片，就如冬日窗戶上結的薄霜。
這與多晶矽沉積的實驗難度根本就不在一個層級，這是肉眼難以觀察的原子層級的微觀實驗。
「順利就行，我們做實驗就是要有耐心，你看我們實驗室里誰沒有做廢過材料。失敗再站起來，走錯路就重走，迷茫了就歇歇腳重新出發。只要不灰心，命運總會在不經意間找上你。」
還沒走的向飛鵬聽到這話，有些無奈地撇了撇嘴。大師兄哪都好，就是有點老媽子了。平時老包不在的時候，都是他在解答開導其他師兄弟。久而久之，就這樣了，雞湯隨時掛在嘴邊。
可現在站在那兒的那位做出的矽片，遷移率可是還要超過老包的，這是他下午吃完飯回來碰見老包後專門問的。
他還嘲笑了老包兩句，不出所料被制裁了。給他下了封口令。
命運怕是見了這位都得羞愧難當，哭著說自己沒用。
「你自己把握好分寸，別逼自己太緊。」
趙宇見李觀一待實驗室就是一天，還是沒忍住多嘴了幾句，無塵服穿著有多難受他們最清楚。
「謝謝師兄，我記住了。」
李觀認真地點了點頭，他能感受到對方話語裡真切的關心。
九點出頭的時候大多數的人都離開了實驗室，就剩寥寥幾人一臉愁容的看著實驗數據。
李觀看了眼時間，再次穿戴妥當進了潔淨區。
「他怎麼又進去了？」
「誰知道？實驗沒做完？」
「有點太卷了吧。」
「聽老向說他下午做的實驗數據，比老包之前最高的那次還要好。」
「真的假的？」
「我也聽說了，說是遷移率直接干到300了，還是老包親自檢測的數據。」
「這麼嚇人？哪兒來的大神啊？清北的？科院沒聽說過這號啊？」
潔淨室里的李觀根本聽不到外面大家的議論，聽到也只會一笑而過，當下最重要的是觀察二硫化鉬單晶薄膜是否製備成功。
「真成了！」
從顯微鏡中看到薄膜的時候李觀有些開心，他在做之前並不能保證百分百的成功率，甚至只有一半一半的把握。
一半成，一半重來。
畢竟是完全不同的技術路線，尤其是只要單晶而不堆疊，這非常考驗他的技術。
這下成了，他的心也放下了一半。
「接下來就該靜電轉印了。」
他啟動靜電印章，靜電力瞬間捕獲了這片單晶薄膜，他緩緩地將其轉移至新的SiO₂襯底，全程沒有任何的污染，畢竟納米層級有一絲的沾染都只有失敗的結局。
「接下來就是最為困難的一步了。」
如果說前面是五五開，那這個步驟就只有三七開了，李觀做好了失敗的準備。不行就凌晨出去跑三公里，強制重啟新一天，連夜重開。
他將襯片轉移進了ALD腔內。
「通氮吹掃，溫度升至150°C。」
李觀有些緊張地默念著，按下了啟動鍵。
腔內溫度穩定後，三甲基鋁脈衝注入，分子在薄膜表面吸附，與之反應形成了單層Al–CH₃，多餘的被氮氣吹走。
接著水蒸氣脈衝注入，水解了殘留物，在薄膜表面生成了Al₂O₃。
這樣循環一次僅能生長0.11nm，而需要3nm厚度就需要循環30次，要保證吸附均勻，一次不能出錯。否則後續就會像被搭歪了的積木一般，前功盡棄。
「穩住。」
李觀心中默念，設定了30次循環。
監控屏幕上，顯示著材料質量在逐步增加。半個小時後，沉積完成。
「好像是成了？」
一直在一旁觀察的李觀極為緊張。比馬上要五殺了，對方最後一人也就絲血了，但身旁卻突然亮起了兩道閃現的亮光來的還要緊張。
他有些緊張地看著顯微鏡下的畫面，平整，均勻，無雜質。
「成了！真成了！」
「我必須立馬開始光刻！」