第56章 宗門天驕
這時他們才發現周圍已經三三兩兩的圍了好多組員，原來是趙宇見導師回來了，出去隔著玻璃跟實驗室裡面的人打了個招呼。
一些有問題找導師匯報的就全出來了，正好看到了這一幕。不過大多數都神色平常，因為這都是必須要知道的問題。
唯有帶李觀進來的趙宇有些驚訝，沒記錯的話，從他坐那開始學習到現在應該不到一個小時吧，這就完全掌握了？有些離譜吧？
「老沈總算是做了回好事。」包仲文轉身的時候小聲的嘀咕道，接著又將李觀拉到周雪妍身邊，對著其他人說道：
「這三位是新來的組員，以後就都是自己人了。大家互相配合，有不懂的儘管問，別自己瞎琢磨。」
接著又看向周雪妍他們兩個說道：「你們先坐這兒，趙宇你帶著他們把操作規範視頻過一遍。李觀，你跟我來，其他人組會我們待會兒再開。」
「嗤。」
包仲文打開了潔淨室的氣密門，李觀跟在他的身後也走了進去。
「你穿這套吧，這是你師兄的，他現在已經去華芯工作了，也一直沒給他收起來，還是新的。」
李觀接過了包教授遞過來的無塵服穿了起來，穿戴整齊以後兩人走進了風淋間，將全身沖了一遍，最後走進了CVD核心區。
包教授徑直走向了更深處的光刻區，旁邊已經有人先一步取出了一塊剛完成烘乾的矽片。
這時李觀才發現，他的身後大多數的組員都跟了進來。還好這個實驗室還挺大，否則怕是站不下。
「今天我們還是做90納米多晶矽柵MOSFET，這是我們和清北一起攻關的項目，在國內已經排在了前列。」
不過他沒說的是，這已經大幅落後於世界平均水平，海外的商用晶片普遍都已經達到了40nm，就比如李觀的那張顯卡。
而一些實驗室中正在研發的最為先進位程，恐怕已經觸碰到了28nm的邊界。但正因如此，他們才更加要全力研發。
包教授接過了矽片，繼續說道：
「下一步用248nm KrF光刻定義90nm柵。注意，要用干法刻蝕。」
李觀認真的看著教授調試參數，雖然在視頻上的流程大致一樣，但現實中會更加的細緻，能看到更多視頻中看不到的細節。
其他人也和李觀一樣，做實驗就是如此，一遍又一遍的做，一遍又一遍的記錄，統計。在重複中尋找微小的偏差，打磨工藝的精度，或許成功就在下一次的實驗中。
「熱退火完成，結束。」
「遷移率大約為 220–250 cm²/(V·s)。」
一旁的組員看著分析儀上的擬合數據輕聲說道。
包教授輕輕點了點頭，然後看向身後的眾人。
「完整流程就是這樣，有任務的繼續做自己的任務。
「向飛鵬，你不是也沒什麼事嗎？你帶著點李觀，指導著他做一次。」
「好的導師。」
被點到的向飛鵬面露愁容，但沒有說什麼直接答應了下來。
「其他人有問題的我們到外邊統一溝通，帶上自己的數據，別張嘴就是說，我腦子沒那麼好使。」
說罷，他便轉身出了核心區，十來號人跟著一起走了出去，瞬間實驗室內空空蕩蕩的，就剩下李觀兩人和三四個還有實驗任務的人。
「開始吧學弟。」向飛鵬說道。
「向哥，我想從沉積開始做，大體的我都知道，有問題你再上手行嗎？」李觀輕聲問道，但態度很是堅決。
向飛鵬有些詫異，之前帶新人哪次不是上來就問東問西，像這樣自己直接上手的真不多見。這樣的話，這活兒倒是不難。
「好，你先做吧。」
李觀得到允諾便動起手來，向飛鵬起初還認認真真的盯著，以防出什麼問題，可以及時糾正。
沒想到每一個步驟都準確無誤，一開始雖然還有些生疏，像個新手，等到後面完全看不出來是第一次進實驗室。
「這新人都這麼妖怪了嗎？我第一次做沉積還作廢了幾個，被老包好一頓罵，他這樣是要一次成啊。」
向飛鵬心想著，看到李觀已經設定好了溫度，剩下的就是耐心等待，他便獨自出了實驗室。主要是看李觀的樣子，不像是要中午出去吃飯的。
「不是叫你看著點新組員嗎？」
向飛鵬剛一出門，迎面就撞上了剛開完組會走出休息室的包仲文。
「這新人有些老練的嚇人，我看了幾個小時，一點錯誤都沒有。幾個常常會出現問題的地方，就連趙師兄偶爾都出錯，他一遍就過了。我實在餓得不行了，我就提前出來了，他的片馬上也沉出來了。」
向飛鵬有些沒大沒小的說著，他們組就是這樣。
老包雖然生氣起來有些嚇人，但平時還是很有江湖氣，對人都是平輩論處，就事論事。所以整個組只要不出錯的情況下，組內的氣氛就非常和諧。
就算出錯了，只要你能抗住老包的一頓劈頭蓋臉的輸出，事後還是該咋樣咋樣，不記仇。
「你讓他從沉積開始做的？我說怎麼這麼長時間，我還以為跟你第一回一樣作廢了我好幾個片呢，我還準備找賈主任薅點經費。」
「不應該吧？不僅腦子好使，手也好使？再怎麼說也是第一次做啊，不會一點瑕疵沒有吧？」
包仲文皺著眉，有些不可思議，這回真讓沈建國揀著寶了？
「別說瑕疵了，我都怕他這片遷移率比你剛做的都高，到時候老包你英明不保。」
「不行了，我真得去吃個飯了，再不吃我就低血糖了。早上我都沒吃飯，一大早就過來盯數據了。你要是好奇，你進去看看吧。」
說罷，他快速換了雙鞋，跑著去了食堂。
「真這麼神？不行，我得看看去。」
等包仲文換好衣服進了實驗室，李觀的矽片已經烘乾完成了，他正準備將其取出走到光刻機上去進行曝光。
「完成了？」
「教授，還沒，最後一步了。」李觀回道。
「行，你做吧，我看著。」包仲文站在一旁不再說話。
不多時，李觀完成了矽片的曝光，迅速將其浸入顯影液里。幾十秒後取出，他在光學顯微鏡下觀察著，柵極圖案清晰完整。
「成功了？」包仲文有些好奇地問道。
「應該是。」
「我看看。」
李觀給包仲文讓開了位置。
「柵極圖案完整清晰，很不錯，趕快蝕刻完把膠去了測測。」
包仲文似乎比李觀還急迫，但李觀做到這一步就已經完成了自己的任務，因為他已經完全掌握了製備MoS₂電晶體的方法。
李觀完成去膠後，包仲文迫不及待地上手幫李觀做曲線分析。
「遷移率大約為 250–300 cm²/(V·s)，很驚人的數據，教科書級別的良率和性能。」
一些有問題找導師匯報的就全出來了，正好看到了這一幕。不過大多數都神色平常，因為這都是必須要知道的問題。
唯有帶李觀進來的趙宇有些驚訝，沒記錯的話，從他坐那開始學習到現在應該不到一個小時吧，這就完全掌握了？有些離譜吧？
「老沈總算是做了回好事。」包仲文轉身的時候小聲的嘀咕道，接著又將李觀拉到周雪妍身邊，對著其他人說道：
「這三位是新來的組員，以後就都是自己人了。大家互相配合，有不懂的儘管問，別自己瞎琢磨。」
接著又看向周雪妍他們兩個說道：「你們先坐這兒，趙宇你帶著他們把操作規範視頻過一遍。李觀，你跟我來，其他人組會我們待會兒再開。」
「嗤。」
包仲文打開了潔淨室的氣密門，李觀跟在他的身後也走了進去。
「你穿這套吧，這是你師兄的，他現在已經去華芯工作了，也一直沒給他收起來，還是新的。」
李觀接過了包教授遞過來的無塵服穿了起來，穿戴整齊以後兩人走進了風淋間，將全身沖了一遍，最後走進了CVD核心區。
包教授徑直走向了更深處的光刻區，旁邊已經有人先一步取出了一塊剛完成烘乾的矽片。
這時李觀才發現，他的身後大多數的組員都跟了進來。還好這個實驗室還挺大，否則怕是站不下。
「今天我們還是做90納米多晶矽柵MOSFET，這是我們和清北一起攻關的項目，在國內已經排在了前列。」
不過他沒說的是，這已經大幅落後於世界平均水平，海外的商用晶片普遍都已經達到了40nm，就比如李觀的那張顯卡。
而一些實驗室中正在研發的最為先進位程，恐怕已經觸碰到了28nm的邊界。但正因如此，他們才更加要全力研發。
包教授接過了矽片，繼續說道：
「下一步用248nm KrF光刻定義90nm柵。注意，要用干法刻蝕。」
李觀認真的看著教授調試參數，雖然在視頻上的流程大致一樣，但現實中會更加的細緻，能看到更多視頻中看不到的細節。
其他人也和李觀一樣，做實驗就是如此，一遍又一遍的做，一遍又一遍的記錄，統計。在重複中尋找微小的偏差，打磨工藝的精度，或許成功就在下一次的實驗中。
「熱退火完成，結束。」
「遷移率大約為 220–250 cm²/(V·s)。」
一旁的組員看著分析儀上的擬合數據輕聲說道。
包教授輕輕點了點頭，然後看向身後的眾人。
「完整流程就是這樣，有任務的繼續做自己的任務。
「向飛鵬，你不是也沒什麼事嗎？你帶著點李觀，指導著他做一次。」
「好的導師。」
被點到的向飛鵬面露愁容，但沒有說什麼直接答應了下來。
「其他人有問題的我們到外邊統一溝通，帶上自己的數據，別張嘴就是說，我腦子沒那麼好使。」
說罷，他便轉身出了核心區，十來號人跟著一起走了出去，瞬間實驗室內空空蕩蕩的，就剩下李觀兩人和三四個還有實驗任務的人。
「開始吧學弟。」向飛鵬說道。
「向哥，我想從沉積開始做，大體的我都知道，有問題你再上手行嗎？」李觀輕聲問道，但態度很是堅決。
向飛鵬有些詫異，之前帶新人哪次不是上來就問東問西，像這樣自己直接上手的真不多見。這樣的話，這活兒倒是不難。
「好，你先做吧。」
李觀得到允諾便動起手來，向飛鵬起初還認認真真的盯著，以防出什麼問題，可以及時糾正。
沒想到每一個步驟都準確無誤，一開始雖然還有些生疏，像個新手，等到後面完全看不出來是第一次進實驗室。
「這新人都這麼妖怪了嗎？我第一次做沉積還作廢了幾個，被老包好一頓罵，他這樣是要一次成啊。」
向飛鵬心想著，看到李觀已經設定好了溫度，剩下的就是耐心等待，他便獨自出了實驗室。主要是看李觀的樣子，不像是要中午出去吃飯的。
「不是叫你看著點新組員嗎？」
向飛鵬剛一出門，迎面就撞上了剛開完組會走出休息室的包仲文。
「這新人有些老練的嚇人，我看了幾個小時，一點錯誤都沒有。幾個常常會出現問題的地方，就連趙師兄偶爾都出錯，他一遍就過了。我實在餓得不行了，我就提前出來了，他的片馬上也沉出來了。」
向飛鵬有些沒大沒小的說著，他們組就是這樣。
老包雖然生氣起來有些嚇人，但平時還是很有江湖氣，對人都是平輩論處，就事論事。所以整個組只要不出錯的情況下，組內的氣氛就非常和諧。
就算出錯了，只要你能抗住老包的一頓劈頭蓋臉的輸出，事後還是該咋樣咋樣，不記仇。
「你讓他從沉積開始做的？我說怎麼這麼長時間，我還以為跟你第一回一樣作廢了我好幾個片呢，我還準備找賈主任薅點經費。」
「不應該吧？不僅腦子好使，手也好使？再怎麼說也是第一次做啊，不會一點瑕疵沒有吧？」
包仲文皺著眉，有些不可思議，這回真讓沈建國揀著寶了？
「別說瑕疵了，我都怕他這片遷移率比你剛做的都高，到時候老包你英明不保。」
「不行了，我真得去吃個飯了，再不吃我就低血糖了。早上我都沒吃飯，一大早就過來盯數據了。你要是好奇，你進去看看吧。」
說罷，他快速換了雙鞋，跑著去了食堂。
「真這麼神？不行，我得看看去。」
等包仲文換好衣服進了實驗室，李觀的矽片已經烘乾完成了，他正準備將其取出走到光刻機上去進行曝光。
「完成了？」
「教授，還沒，最後一步了。」李觀回道。
「行，你做吧，我看著。」包仲文站在一旁不再說話。
不多時，李觀完成了矽片的曝光，迅速將其浸入顯影液里。幾十秒後取出，他在光學顯微鏡下觀察著，柵極圖案清晰完整。
「成功了？」包仲文有些好奇地問道。
「應該是。」
「我看看。」
李觀給包仲文讓開了位置。
「柵極圖案完整清晰，很不錯，趕快蝕刻完把膠去了測測。」
包仲文似乎比李觀還急迫，但李觀做到這一步就已經完成了自己的任務，因為他已經完全掌握了製備MoS₂電晶體的方法。
李觀完成去膠後，包仲文迫不及待地上手幫李觀做曲線分析。
「遷移率大約為 250–300 cm²/(V·s)，很驚人的數據，教科書級別的良率和性能。」