第113章 FinFET鰭式場效應電晶體與FinFET工藝
第113章 FinFET鰭式場效應電晶體與FinFET工藝
然而李明遠可不理會那些總裁們的陰沉臉色，只見舞台上的李明遠笑著說道「想將晶片結構從二維的平面結構，變成三維的立體多層結構。
實際是一場徹頭徹尾的革命，不只是要在EDA軟體層面上進行針對性開發，也是要在硬體上面開發。
為了在硬體層面上實現我們的最終目標，我們特別開發出來了一種全新的三維結構電晶體與專用生產工藝。
即FinFET鰭式場效應電晶體以及FinFET工藝！」
在李明遠說話的時候，身後的投影屏幕就出現了FinFET鰭式場效應電晶體的圖片。
「我們的FinFET鰭式場效應電晶體，它是一個三維立體結構的電晶體。
每個電晶體包含一個源極、一個漏極、一個連接兩者的導點通道、一個柵極————」
李明遠介紹起了FinFET鰭式場效應電晶體與FinFET工藝的細節。
這兩個東西，實際是前世2011年因特爾公司推出的新一代電晶體結構。
也是正是從這一年開始，正式開啟了3D晶片結構的大旗。
也正是從這一年開始，全球的製程工藝開始變得虛標起來。
不再是用電晶體的柵極長度來評價製程工藝的先進與否。
而是直接變成了等效多少多少納米製程工藝。
只因為對於3D晶片結構來說，柵極長度大一點，並不意味著落後。
因為它看的是整體結構，看的是整體性能。
就比如前世三惺公司代工生產的某個處理器，其柵極長度就小於台積店代工生產的柵極長度。
但實際上台積店代工生產的處理器性能就是比台積店的性能更強。
原因正是三惺公司代工生產的處理器存在難以接受的漏電問題。
這晶片一漏電自然會導致溫度極速升高，功耗很高，性能很低。
於是那個時候，採用三惺公司代工生產處理器的手機，也有了熱得快暖手寶之名。
「我們為什麼要研發出FinFET鰭式場效應電晶體與FinFET工藝。
原因正是為了二維平面結構的電晶體，其實並不太適合搞3D晶片堆疊技術。
因為相比於FinFET鰭式場效應電晶體，二維平面結構的傳統電晶體存在著電流控制能力弱、漏電電流控制困難、容易污染與損傷等缺點。
反之採用了我們自研的FinFET鰭式場效應電晶體後，這些缺點統統都被克服或大幅減輕了。
也正是因為我們克服或大幅減輕了電流控制能力弱、漏電電流控制困難、容易污染與損傷等缺點。
所以我們才能在同一個晶片體積上面，塞下多層結構的FinFET鰭式場效應電晶體。」
聞言，現場的觀眾與記者們露出恍然大悟的表情。
而新思科技的總裁蓋新思，連享總裁劉川志他們的臉色已經黑如鍋底了。
沒有想到星火科技竟然在悄無聲息之間，搞出了這麼多的核心技術。
而且這些技術光是一聽就知道前景很大。
這星火科技怎麼就能一直往正確的道路前進，沒有犯錯走彎路呢？！
「我們的3D晶片堆疊技術所指的，其實不是FinFET鰭式場效應電晶體與FinFET工藝。
因為FinFET鰭式場效應電晶體，只是3D晶片堆疊技術的前置技術而已。
沒有FinFET鰭式場效應電晶體，沒有它克服傳統二維平面電晶體的諸多缺陷。
那想要實現3D晶片堆疊技術的難度真的很高。
也因此，FinFET鰭式場效應電晶體與FinFET工藝，只是3D晶片堆疊技術的前置技術。」
聞言，現場的觀眾記者們，當即是期待好奇起來。
這三維結構的FinFET鰭式場效應電晶體與FinFET工藝競然只是3D晶片堆疊技術的前置技術。
那真正的3D晶片堆疊技術究竟是一個什麼樣的技術，究竟有多麼強大的結構呢？
伴隨著人們的好奇視線，李明遠輕輕一揮手，身後的投影屏幕畫面驟然一變。
一張3D晶片堆疊技術的原理圖出現在眾人面前。
「3D晶片堆疊技術，其實有多種實現路徑，有三維電路封裝工藝技術研發線路，有三維矽封裝工藝技術研發線路。
三維電路封裝工藝集成的晶片之間存在空隙。
需填充介質材料以調整系統的熱導率、熱膨脹係數保證系統的機械、導電性能的穩定性。
三維矽封裝工藝集成的晶片之間沒有空隙，且晶片的功耗、體積、重量較小，導電性能優良。
其中三維電路封裝工藝的技術實現難度略低一點，散熱性能優良，適合用於體積大的晶片。
而三維矽封裝工藝的技術實現難度高，工藝複雜，成本較高，適合於空間狹小的移動端晶片。
這兩種技術研發線路，我們都註冊了技術專利，也都支持生產，星火EDA軟體也都支持。」
頓了一下，李明遠接著說道：「在這其中，無論是哪種封裝工藝，統統都是採用了一種名叫TSV矽通孔互聯技術的互聯技術。
這TSV矽通孔互聯技術，顧名思義就是在矽當中通孔。
之後再採用垂直互連形式，將電晶體與電晶體連接起來，形成一個三維立體結構的整體。
具有導線距離最短、強度較高，更易實現小型化、高密度、高性能、多功能化異質結構的特點。」
聞言，現場的觀眾與記者們似懂非懂的輕輕點頭。
他們實際有些聽不懂，只是本能的感覺很厲害的樣子。
而接下來李明遠就繼續介紹了一下3D晶片堆疊技術的細節，這也是讓他們聽得更加迷糊了。
就這樣，用了十多分鐘，介紹完3D晶片堆疊技術後，接下來就來到了關鍵的環節。
「————介紹了這麼多，想必大家對於3D晶片堆疊技術已經有一定了解了。
使用3D晶片堆疊技術與使用傳統的二維平面晶片技術有什麼優缺點呢。
傳統的二維平面晶片結構簡單，生產難度低，生產工序沒有那麼多。
這良品率肯定會更高，所以生產的晶片成本會比較低。
而三維立體結構的晶片結構複雜，生產難度很高，生產工序複雜，良品率隨之降低。
而且這實際上也是相當於將本來可以製造出兩個或三個晶片的晶圓，變成製造一個晶片。
這自然是意味著晶片的製造成本隨之提升了。」
聞言，現場的觀眾們當即是微微皺眉。
照這樣一算，3D晶片堆疊技術的晶片價格，豈不是要正常晶片的幾倍價格？
然而李明遠可不理會那些總裁們的陰沉臉色，只見舞台上的李明遠笑著說道「想將晶片結構從二維的平面結構，變成三維的立體多層結構。
實際是一場徹頭徹尾的革命，不只是要在EDA軟體層面上進行針對性開發，也是要在硬體上面開發。
為了在硬體層面上實現我們的最終目標，我們特別開發出來了一種全新的三維結構電晶體與專用生產工藝。
即FinFET鰭式場效應電晶體以及FinFET工藝！」
在李明遠說話的時候，身後的投影屏幕就出現了FinFET鰭式場效應電晶體的圖片。
「我們的FinFET鰭式場效應電晶體，它是一個三維立體結構的電晶體。
每個電晶體包含一個源極、一個漏極、一個連接兩者的導點通道、一個柵極————」
李明遠介紹起了FinFET鰭式場效應電晶體與FinFET工藝的細節。
這兩個東西，實際是前世2011年因特爾公司推出的新一代電晶體結構。
也是正是從這一年開始，正式開啟了3D晶片結構的大旗。
也正是從這一年開始，全球的製程工藝開始變得虛標起來。
不再是用電晶體的柵極長度來評價製程工藝的先進與否。
而是直接變成了等效多少多少納米製程工藝。
只因為對於3D晶片結構來說，柵極長度大一點，並不意味著落後。
因為它看的是整體結構，看的是整體性能。
就比如前世三惺公司代工生產的某個處理器，其柵極長度就小於台積店代工生產的柵極長度。
但實際上台積店代工生產的處理器性能就是比台積店的性能更強。
原因正是三惺公司代工生產的處理器存在難以接受的漏電問題。
這晶片一漏電自然會導致溫度極速升高，功耗很高，性能很低。
於是那個時候，採用三惺公司代工生產處理器的手機，也有了熱得快暖手寶之名。
「我們為什麼要研發出FinFET鰭式場效應電晶體與FinFET工藝。
原因正是為了二維平面結構的電晶體，其實並不太適合搞3D晶片堆疊技術。
因為相比於FinFET鰭式場效應電晶體，二維平面結構的傳統電晶體存在著電流控制能力弱、漏電電流控制困難、容易污染與損傷等缺點。
反之採用了我們自研的FinFET鰭式場效應電晶體後，這些缺點統統都被克服或大幅減輕了。
也正是因為我們克服或大幅減輕了電流控制能力弱、漏電電流控制困難、容易污染與損傷等缺點。
所以我們才能在同一個晶片體積上面，塞下多層結構的FinFET鰭式場效應電晶體。」
聞言，現場的觀眾與記者們露出恍然大悟的表情。
而新思科技的總裁蓋新思，連享總裁劉川志他們的臉色已經黑如鍋底了。
沒有想到星火科技竟然在悄無聲息之間，搞出了這麼多的核心技術。
而且這些技術光是一聽就知道前景很大。
這星火科技怎麼就能一直往正確的道路前進，沒有犯錯走彎路呢？！
「我們的3D晶片堆疊技術所指的，其實不是FinFET鰭式場效應電晶體與FinFET工藝。
因為FinFET鰭式場效應電晶體，只是3D晶片堆疊技術的前置技術而已。
沒有FinFET鰭式場效應電晶體，沒有它克服傳統二維平面電晶體的諸多缺陷。
那想要實現3D晶片堆疊技術的難度真的很高。
也因此，FinFET鰭式場效應電晶體與FinFET工藝，只是3D晶片堆疊技術的前置技術。」
聞言，現場的觀眾記者們，當即是期待好奇起來。
這三維結構的FinFET鰭式場效應電晶體與FinFET工藝競然只是3D晶片堆疊技術的前置技術。
那真正的3D晶片堆疊技術究竟是一個什麼樣的技術，究竟有多麼強大的結構呢？
伴隨著人們的好奇視線，李明遠輕輕一揮手，身後的投影屏幕畫面驟然一變。
一張3D晶片堆疊技術的原理圖出現在眾人面前。
「3D晶片堆疊技術，其實有多種實現路徑，有三維電路封裝工藝技術研發線路，有三維矽封裝工藝技術研發線路。
三維電路封裝工藝集成的晶片之間存在空隙。
需填充介質材料以調整系統的熱導率、熱膨脹係數保證系統的機械、導電性能的穩定性。
三維矽封裝工藝集成的晶片之間沒有空隙，且晶片的功耗、體積、重量較小，導電性能優良。
其中三維電路封裝工藝的技術實現難度略低一點，散熱性能優良，適合用於體積大的晶片。
而三維矽封裝工藝的技術實現難度高，工藝複雜，成本較高，適合於空間狹小的移動端晶片。
這兩種技術研發線路，我們都註冊了技術專利，也都支持生產，星火EDA軟體也都支持。」
頓了一下，李明遠接著說道：「在這其中，無論是哪種封裝工藝，統統都是採用了一種名叫TSV矽通孔互聯技術的互聯技術。
這TSV矽通孔互聯技術，顧名思義就是在矽當中通孔。
之後再採用垂直互連形式，將電晶體與電晶體連接起來，形成一個三維立體結構的整體。
具有導線距離最短、強度較高，更易實現小型化、高密度、高性能、多功能化異質結構的特點。」
聞言，現場的觀眾與記者們似懂非懂的輕輕點頭。
他們實際有些聽不懂，只是本能的感覺很厲害的樣子。
而接下來李明遠就繼續介紹了一下3D晶片堆疊技術的細節，這也是讓他們聽得更加迷糊了。
就這樣，用了十多分鐘，介紹完3D晶片堆疊技術後，接下來就來到了關鍵的環節。
「————介紹了這麼多，想必大家對於3D晶片堆疊技術已經有一定了解了。
使用3D晶片堆疊技術與使用傳統的二維平面晶片技術有什麼優缺點呢。
傳統的二維平面晶片結構簡單，生產難度低，生產工序沒有那麼多。
這良品率肯定會更高，所以生產的晶片成本會比較低。
而三維立體結構的晶片結構複雜，生產難度很高，生產工序複雜，良品率隨之降低。
而且這實際上也是相當於將本來可以製造出兩個或三個晶片的晶圓，變成製造一個晶片。
這自然是意味著晶片的製造成本隨之提升了。」
聞言，現場的觀眾們當即是微微皺眉。
照這樣一算，3D晶片堆疊技術的晶片價格，豈不是要正常晶片的幾倍價格？