第四章 ：三天之約！
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會議結束，周文淵和其他人離開，只剩下了韓靖和童淮兩人。
看著這個師弟，童淮語氣里滿是急切又帶著一絲期許：「師弟，你真有把握解決KL-02在28nm工藝下的溝道摻雜濃度偏移難題？
「那可是導師和整個團隊耗了小半年都沒解決的難題，三天時間也太短了！」
「你這次真的衝動了！」
韓靖笑了下，淡定的開口道：「師兄，你什麼時候見我說過大話？」
說著，他轉頭看向童淮，眼神里沒有了會議室里的鋒芒，多了幾分沉穩。
「師兄，我們沒有退路，要麼拿下這個難題，保住KL-02項目，要麼看著導師的心血付諸東流，我們也沒法順利畢業。」
「而且，我不是憑空吹牛，我真的有把握解決這個難題！」
聞言，童淮倒是下意識的回想了一下。
確實，他這位師弟並不是那種喜歡吹牛，做事不顧一切後果的人。
相反，在導師陳維德教授的幾個學生中，韓靖才是最耐住性子最穩妥的那一個。
看著韓靖堅定的眼神，童淮重重點頭：「好！我信你！實驗需要幫忙嗎？我這段時間也一直在跟進KL-02的工藝部分，多少能搭把手。」
韓靖：「當然！」
停頓了一下，他站起身，接著道：「但在進行實驗之前，我們還有另一件更重要的事情需要做。」
聞言，童淮有些好奇的問道：「怎麼了？」
韓靖：「我需要向周主任，向學校申請一間獨立於KL-02微型晶片項目之外的其他實驗室，以及相關的器材設備和材料！」
聽到這話，童淮下意識的開口道：「研究中心這邊不是有完整的實驗室嗎？可以直接用啊，為啥要申請新的實驗室和器材設備？」
韓靖笑了下，道：「聽我的就行。」
.....
確認好接下來要做什麼後，兩人直奔微處理器研發中心周文淵主任的辦公室。
聽到韓靖申請一間獨立於KL-02微型晶片項目之外的實驗室，以及相關器材設備和材料的來意後，周文淵饒有深意地看了他一眼。
這小傢伙，心思倒是挺深的。
不過也好，這樣也算是有備無患。
周文淵同意了韓靖的請求，從抽屜中取出一把實驗室的備用鑰匙遞給了他，然後笑著開口道。
「這是四號實驗室的鑰匙，目前沒人使用，這三天的時間就先歸你，裡面的設備器材都有。」
「至於材料，你寫個申請上來，我給你批條子，你找後勤老師去拿就行。」
從桌上接過四號實驗室的鑰匙，韓靖微微鞠了一躬，道：「謝謝周主任。」
很顯然，周文淵看出了他想做什麼，也支持他這麼做。
倒也好，省去了他解釋的麻煩。
......
花了一上午的時間，將實驗室、器材設備與實驗需要的相關材料申請下來後，韓靖和童淮拿著鑰匙來到了四號實驗室。
有些意外的是，KL-02項目中，負責晶片摻雜工藝的研究員李暉正站在門口等著他們。
「李哥，你怎麼在這。」
看到李暉，韓靖笑著打了個招呼。
和趙知許不同的是，李暉身上有著傳統理工科學者的氣質，相對沉默寡言，對實驗與研究固執，爭論靠數據，最高評價是符合邏輯、可行等等詞彙。
兩人之間的關係也走得更加的親近一些。
李暉也沒有猶豫，徑直開口道：「關於你在上午會議室中所說的解決KL-02在28nm工藝下的溝道摻雜濃度偏移難題的方案研究，我想參與！」
聞言，韓靖有些訝異地開口道：「解決方案我不是都已經在會議上說了，你可以直接在實驗室裡面做啊。」
「啊？」
李暉愣了一下，摸了摸腦袋開口道：「這是你提出來的解決方案，我怎麼能做實驗呢，這不太好吧。」
在他看來，這是韓靖的解決方案，而且還在會議室上那麼詳細的講解了，說明這已經是屬於他的智慧財產權了。
他不問自取，這算是盜竊別人的東西。
韓靖也愣了一下，旋即笑著道：「所以你就在這裡等著？」
李暉點了點頭，道：「嗯，你不是和校領導那邊立下了三天的軍令狀嗎？」
「這三天肯定要做實驗的，所以我就問了問周主任，然後來這邊想問問你還缺不缺人，我可以參與。」
聞言，韓靖笑著點點頭，道：「行，那李哥你來吧，多一個人，我們也多一份把握。」
說著，他取出鑰匙打開了四號實驗室的大門，接著補充道：「我們先整理實驗器材，核對所有設備參數、材料等東西，下午就開始動手。」
「OK！」
「沒問題。」
....
不到一個小時，準備工作就基本就緒。李暉拿著韓靖標註的參數清單，反覆看了幾遍，眉頭漸漸皺了起來，臉上露出了疑惑的神色。
他猶豫了片刻，還是拿著清單快步走到韓靖身邊，語氣帶著幾分不確定地詢問道。
「韓靖，你這參數設置，是不是有點問題？」
韓靖正低頭調試筆記本電腦上的實驗數據，聞言抬起頭：「怎麼了，李哥？哪裡有問題？」
李暉指著清單上的一行字，語氣凝重：「你看，這個PAI環節的離子注入劑量，是不是太高了？」
「按照常規工藝，這個劑量已經超出了安全範圍，離子注入太多，會嚴重損傷晶圓表面的晶格結構。」
「到時候別說解決摻雜濃度偏移的問題，連晶片基底都會被損壞，前期的所有努力就都白費了。」
一旁，童淮聽到這話，也湊了過來，看著清單上的參數，臉色也微微一變。
「是啊，師弟，李哥說得對，這個劑量確實太高了，導師之前也試過類似的劑量，最後晶圓直接報廢了。」
聽到這話，韓靖卻絲毫不慌，接過參數清單，指著重難點，耐心解釋道：「放心吧，這個劑量看似偏高，但其實是合理的。」
「我們會先引入氮化界面層，這種界面層能有效抑制硼穿透效應，剛好可以抵消高劑量離子注入帶來的損傷。」
「這不僅不會損壞晶圓基底，還能精準控制摻雜深度，讓溝道摻雜濃度達到平衡——這也是解決這個難題的核心關鍵。」
停頓了一下，他補充了一句，算是給出了個解釋。
「導師以前的失敗，理論上來說就是因為沒有提前控制這些變量而導致的。」
「而這份方案也是在以前的實驗數據上做出來的優化的，不會錯的！」
.....
會議結束，周文淵和其他人離開，只剩下了韓靖和童淮兩人。
看著這個師弟，童淮語氣里滿是急切又帶著一絲期許：「師弟，你真有把握解決KL-02在28nm工藝下的溝道摻雜濃度偏移難題？
「那可是導師和整個團隊耗了小半年都沒解決的難題，三天時間也太短了！」
「你這次真的衝動了！」
韓靖笑了下，淡定的開口道：「師兄，你什麼時候見我說過大話？」
說著，他轉頭看向童淮，眼神里沒有了會議室里的鋒芒，多了幾分沉穩。
「師兄，我們沒有退路，要麼拿下這個難題，保住KL-02項目，要麼看著導師的心血付諸東流，我們也沒法順利畢業。」
「而且，我不是憑空吹牛，我真的有把握解決這個難題！」
聞言，童淮倒是下意識的回想了一下。
確實，他這位師弟並不是那種喜歡吹牛，做事不顧一切後果的人。
相反，在導師陳維德教授的幾個學生中，韓靖才是最耐住性子最穩妥的那一個。
看著韓靖堅定的眼神，童淮重重點頭：「好！我信你！實驗需要幫忙嗎？我這段時間也一直在跟進KL-02的工藝部分，多少能搭把手。」
韓靖：「當然！」
停頓了一下，他站起身，接著道：「但在進行實驗之前，我們還有另一件更重要的事情需要做。」
聞言，童淮有些好奇的問道：「怎麼了？」
韓靖：「我需要向周主任，向學校申請一間獨立於KL-02微型晶片項目之外的其他實驗室，以及相關的器材設備和材料！」
聽到這話，童淮下意識的開口道：「研究中心這邊不是有完整的實驗室嗎？可以直接用啊，為啥要申請新的實驗室和器材設備？」
韓靖笑了下，道：「聽我的就行。」
.....
確認好接下來要做什麼後，兩人直奔微處理器研發中心周文淵主任的辦公室。
聽到韓靖申請一間獨立於KL-02微型晶片項目之外的實驗室，以及相關器材設備和材料的來意後，周文淵饒有深意地看了他一眼。
這小傢伙，心思倒是挺深的。
不過也好，這樣也算是有備無患。
周文淵同意了韓靖的請求，從抽屜中取出一把實驗室的備用鑰匙遞給了他，然後笑著開口道。
「這是四號實驗室的鑰匙，目前沒人使用，這三天的時間就先歸你，裡面的設備器材都有。」
「至於材料，你寫個申請上來，我給你批條子，你找後勤老師去拿就行。」
從桌上接過四號實驗室的鑰匙，韓靖微微鞠了一躬，道：「謝謝周主任。」
很顯然，周文淵看出了他想做什麼，也支持他這麼做。
倒也好，省去了他解釋的麻煩。
......
花了一上午的時間，將實驗室、器材設備與實驗需要的相關材料申請下來後，韓靖和童淮拿著鑰匙來到了四號實驗室。
有些意外的是，KL-02項目中，負責晶片摻雜工藝的研究員李暉正站在門口等著他們。
「李哥，你怎麼在這。」
看到李暉，韓靖笑著打了個招呼。
和趙知許不同的是，李暉身上有著傳統理工科學者的氣質，相對沉默寡言，對實驗與研究固執，爭論靠數據，最高評價是符合邏輯、可行等等詞彙。
兩人之間的關係也走得更加的親近一些。
李暉也沒有猶豫，徑直開口道：「關於你在上午會議室中所說的解決KL-02在28nm工藝下的溝道摻雜濃度偏移難題的方案研究，我想參與！」
聞言，韓靖有些訝異地開口道：「解決方案我不是都已經在會議上說了，你可以直接在實驗室裡面做啊。」
「啊？」
李暉愣了一下，摸了摸腦袋開口道：「這是你提出來的解決方案，我怎麼能做實驗呢，這不太好吧。」
在他看來，這是韓靖的解決方案，而且還在會議室上那麼詳細的講解了，說明這已經是屬於他的智慧財產權了。
他不問自取，這算是盜竊別人的東西。
韓靖也愣了一下，旋即笑著道：「所以你就在這裡等著？」
李暉點了點頭，道：「嗯，你不是和校領導那邊立下了三天的軍令狀嗎？」
「這三天肯定要做實驗的，所以我就問了問周主任，然後來這邊想問問你還缺不缺人，我可以參與。」
聞言，韓靖笑著點點頭，道：「行，那李哥你來吧，多一個人，我們也多一份把握。」
說著，他取出鑰匙打開了四號實驗室的大門，接著補充道：「我們先整理實驗器材，核對所有設備參數、材料等東西，下午就開始動手。」
「OK！」
「沒問題。」
....
不到一個小時，準備工作就基本就緒。李暉拿著韓靖標註的參數清單，反覆看了幾遍，眉頭漸漸皺了起來，臉上露出了疑惑的神色。
他猶豫了片刻，還是拿著清單快步走到韓靖身邊，語氣帶著幾分不確定地詢問道。
「韓靖，你這參數設置，是不是有點問題？」
韓靖正低頭調試筆記本電腦上的實驗數據，聞言抬起頭：「怎麼了，李哥？哪裡有問題？」
李暉指著清單上的一行字，語氣凝重：「你看，這個PAI環節的離子注入劑量，是不是太高了？」
「按照常規工藝，這個劑量已經超出了安全範圍，離子注入太多，會嚴重損傷晶圓表面的晶格結構。」
「到時候別說解決摻雜濃度偏移的問題，連晶片基底都會被損壞，前期的所有努力就都白費了。」
一旁，童淮聽到這話，也湊了過來，看著清單上的參數，臉色也微微一變。
「是啊，師弟，李哥說得對，這個劑量確實太高了，導師之前也試過類似的劑量，最後晶圓直接報廢了。」
聽到這話，韓靖卻絲毫不慌，接過參數清單，指著重難點，耐心解釋道：「放心吧，這個劑量看似偏高，但其實是合理的。」
「我們會先引入氮化界面層，這種界面層能有效抑制硼穿透效應，剛好可以抵消高劑量離子注入帶來的損傷。」
「這不僅不會損壞晶圓基底，還能精準控制摻雜深度，讓溝道摻雜濃度達到平衡——這也是解決這個難題的核心關鍵。」
停頓了一下，他補充了一句，算是給出了個解釋。
「導師以前的失敗，理論上來說就是因為沒有提前控制這些變量而導致的。」
「而這份方案也是在以前的實驗數據上做出來的優化的，不會錯的！」
.....