第205章 與東晶的會面

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  近水樓台先得月。

  想到這裡,馬宇騰不再猶豫,直接拿起了桌上的電話,撥通了一個號碼。

  電話那頭,很快傳來一個沉穩有力的聲音。

  「馬總,你可是好久沒有找我這個老朋友了啊,是企業發展遇到什麼問題了嗎?」

  正是鵬城的政府一把手,張軍朔。

  「張領導,冒昧打擾了。」

  馬宇騰開門見山。

  「有點事,想請您幫忙牽個線。」

  「哦?你說。」

  「我想見一見東潤集團負責半導體業務的領導。」

  ……

  在張軍朔的親自協調下,會面安排得異常順利。

  兩天後,在福田區的東潤集團總部里,馬宇騰見到了對方的副總裁,一個看起來五十歲上下的中年男人,名叫宋志平。

  「馬總,久仰大名。」

  宋志平主動伸出手,臉上帶著溫和的笑意。

  「宋總客氣了。」

  簡單的寒暄後,馬宇騰直接說明了來意。

  他將雷霆半導體設計出第一款IGBT晶片,以及希望在國內尋找代工廠進行流片和量產的想法,和盤托出。

  宋志平靜靜地聽著,臉上的表情從最初的客氣,逐漸變得嚴肅,再到最後的凝重。

  他沒有立刻回答,而是反問道。

  「馬總,你知道『908工程』嗎?」

  馬宇騰心中一動,點了點頭。

  宋志平嘆了口氣,眼神中流露出一絲複雜的情緒。

  「我們東潤在上級領導安排接手東晶電子集團後,也一直在為這家企業的未來發展方向發愁。」

  馬宇騰不知道的是,他的這次到訪,恰好撞到了東潤集團內部爭論的槍口上。

  九十年代初,國家為了推動集成電路產業的發展,提出了雄心勃勃的「908工程」。

  這個項目最終花落錫城的東晶電子集團。

  但在當時,圍繞項目的技術路線,內部就產生了巨大的分歧。

  是引進當時主流的通用晶片技術,還是另闢蹊徑,嘗試存儲器之類的細分賽道?

  是緊跟國際前沿,還是立足國內市場需求?

  由於當時國內對整個產業的理解和積累都十分有限,加上計劃經濟思維的慣性,導致這些問題變得異常複雜。

  一場曠日持久的「決策馬拉松」就此展開。

  最終,在1995年,項目還是敲定了通用晶片的方向。

  等到1998年初,一條6英寸的生產線終於建成,能夠生產0.8到1.2微米的晶片。

  然而,就是這長達五年的論證和談判,讓項目還沒開始,就已經落後了。

  彼時,國際上的主流技術已經進入8英寸晶圓、0.18微米(180納米)製程的時代,甚至開始試產0.13微米。

  東晶的生產線一投產,就面臨著技術落後、成本高昂、毫無市場競爭力的窘境,連年虧損,成了一個巨大的包袱。

  最終,國家只能讓財大氣粗的東潤集團出手,接下這個爛攤子。

  宋志平看著馬宇騰,緩緩說道。

  「我們接手後,很多人都認為,華晶應該放棄追趕,轉型做一些低端晶片。但現在聽了馬總你的想法,我倒覺得,這或許是一個全新的機會。」

  功率半導體!

  這個被他們忽視的領域,或許正是盤活華晶這盤棋的一個機會!

  「馬總,你願不願意,跟我去一趟錫城?」

  宋志平發出了邀請。

  「固所願也,不敢請耳。」

  三天後,馬宇騰與宋志平一同出現在了位於錫城的東晶電子集團總部。

  對於兩人的到來,華晶集團的高層給予了最高規格的接待。

  宋志平自不必說,這位是未來掌管他們集團的直屬上級領導。

  而馬宇騰的出現,則讓他們感到十分驚訝和好奇。

  實際馬宇騰有些低估了他在國內半導體行業的名氣。

  在場的,都是在半導體行業浸淫了一輩子的老人。

  他們怎麼也想不通,這個一直靠國家輸血的行業,怎麼會突然冒出來一個敢真金白銀往裡砸的私營企業家。

  之前雖然冒出個東芯國際,但人家背後主要是外資和地方政府的大力扶持。

  但這個雷霆工業,聽說老闆只是個二十多歲的年輕人,之前從事的也是鋰電池生產以及3C代工等不太相關的業務。

  居然敢一頭砸進半導體行業這個巨坑裡面。

  如果說只是進入晶片設計還好說一些,畢竟那相對來說資金投入還沒有那麼大。

  但之後傳出的雷霆工業與摩托羅拉合資19億美元,建造180納米製程晶片廠的消息,是真正震驚到他們這些行內人了。

  會議室里,華晶的總工程師在聽完馬宇騰的來意後,恍然大悟。

  「原來……雷霆半導體主攻的是功率晶片!」

  他總算明白了。

  相比於CPU、內存這些需要不斷追趕先進位程的通用晶片,功率半導體的製程要求確實沒那麼高,技術門檻相對較低。

  更重要的是,這塊市場在國內幾乎是空白,完全被國外廠商壟斷。

  雷霆半導體選擇這個賽道切入,確實是一步妙棋。

  「馬總,其實我們華晶,跟功率半導體也算有些淵源。」

  東晶的總工程師王洪鑫扶了扶眼鏡,打開了話匣子。

  「早在六十年代末,我們廠的前身,就曾經生產過MOSFET電晶體。」

  「只是後來,考慮到當時國內的需求,我們的研發方向轉向了用途更廣泛的MCU(微控制器單元),沒有繼續在功率器件上深入。」

  王洪鑫解釋道,IGBT可以看作是MOSFET和雙極電晶體的結合體。

  它既有MOSFET驅動簡單、開關速度快的優點,又具備雙極電晶體導通壓降低、可承受大電流的特性,特別適合用在高電壓、大功率的場合,比如馬宇騰心心念念的新能源汽車。

  而MOSFET,則更多用於開關電源、變頻器等需要高頻開關的領域。

  「雖然方向不同,但很多底層的生產工藝,還是有相通之處的。」

  話雖如此,當馬宇騰提出希望華晶能為「雷芯G1」進行流片和代工時,對方還是露出了為難的神色。

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