第661章 光刻機里的DPP方案
「目前我們的庫存勉強能夠對付一年，如果一年後還沒有完全尋找到國產替代的話，就要面臨停產，又或者冒著良率下降的風險，硬著頭皮去做。」
滬上，華芯國際。
梁老憂心忡忡道：「晶片設計不是什麼大問題，玄武EDA完成度很高，但無論如何設計出來的晶片也只是個PPT，最終還是要落地的。」
目前，國內晶片供應鏈在部份領域已實現突破，但幾個關鍵環節仍依賴國外進口，尤其在高端晶片製造、核心設備和材料、特定晶片設計工具等方面存在顯著短板。
陳平江的天元資本早期投資那些國產晶片產業鏈是有效果的，但仍然不足以顛覆多年的差距。
孟老也道：「目前國內的晶片自給率差不多40%，高端晶片完全依賴進口，現在三星和台積電已經成功量產出7納米，我們追趕的腳步一刻也不能停下，幸好14納米製造工藝突破有望，但更高的7納米就玄乎了，光刻機始終是個繞不過去的坎兒。」
他話音一轉，「不過採用多重曝光技術的話，應該可以通過DUV實現7納米。」
好消息是長江存儲和長鑫存儲提前兩年布局，所以DRAM和NAND快閃記憶體晶片不再需要通過三星和海力士進口。
壞消息是射頻晶片和FPGA晶片仍然無法解決。
「射頻晶片的國產替代方案是唯捷創芯的產品，但良率是個大問題。」
FPGA晶片說白了就是邏輯晶片，翻譯過來叫做現場可編程門陣列。
FPGA廣泛應用於通信基站和工業控制領域，但國內廠商如紫光同創、安路科技等尚處於技術追趕階段，市場份額幾乎被賽靈思和英特爾壟斷。
雖然早就預料到突破的過程會非常難，但只有真正深入進去才知道有多難。
這就像是碼農寫代碼，但凡哪裡寫的不對，就會導致最後程序跑不通。
半導體材料領域同樣困難重重。
12英寸矽片主要依賴日本信越化學、SUMCO等企業，國產化率不足20%。
國產替代方案是滬矽產業和中環股份。
前者在去年實現12英寸矽片小規模量產，但仍處於技術驗證和產能爬坡階段；後者在8英寸矽片領域已實現穩定供應。
最慘的還要數光刻膠，尤其是ARF和EUV級別的光刻膠。
高端光刻膠幾乎全部依賴日本企業（如TOK、JSR、信越化學），國產化率低於5%。
南大光電啟動ArF光刻膠研發項目，但尚未量產；滬上新陽的KrF光刻膠處於驗證階段；晶瑞電材的g/i線光刻膠已用於中低端晶片。
除此之外還有特殊氣體、拋光材料、濺射靶材和先進封裝材料。
陳平江之前培養出華特氣體、安集科技、江豐電子和飛凱材料，這些都可以成為替代方案，但還是老問題。
純度和穩定性不足，驗證周期長！
當然了……
好消息也不是沒有。
比如江豐電子的靶材市占率全球前五，成為中芯國際、三星核心供應商。
比如安集科技的CMP拋光液打破美日壟斷，進入14nm產線。
比如南大光電的ArF光刻膠項目已經逐步量產。
梁老感慨道：「幸好你幾年前有遠見，先扶持了一批國產企業，否則我們面臨的麻煩還要更多，不過我始終是有信心的。」
陳平江含蓄的笑了笑。
他從不擔心國產晶片的未來。
即便是按照原本的時間線，到了24年國產成熟製成晶片也會迎來重大突破，出口銷售額達到千億美元。
一切所缺的不過是時間而已。
每個環節進步一點，匯合集合就是巨大的進步。
……
……
兩天後，陳平江已經從滬上趕往了祖國的最北端。
在哈工大的校園裡，陳平江見到了趙永鵬。
「哈哈，陳董，雖是初次見面，卻已經神交已久啊。」
趙永鵬親熱的同陳平江握手。
陳平江笑眯眯道：「趙教授不必客氣叫我小陳就好，今天我過來是特意對您的卓越貢獻表示感謝的。」
陳平江說不用客氣，趙永鵬哪裡敢真的叫他小陳，只當是客套話。
「軍功章也應當有你的一半，如果不是之前您的資助和多方面協助，我們也不會如此順利。」趙永鵬招招手，「我們去實驗室看看。」
陳平江來到哈工大，之前已經和校方打過招呼，希望低調處理，這才沒有引起圍觀。
這次過來完全是因為趙永鵬團隊順利研發出「放電等離子體極紫外光刻光源」的緣故。
這個項目，陳平江已經跟了好幾年，前後資助不下2000萬，並且表示不要任何智慧財產權，如今終於到了開花結果的時候。
寬敞明亮的實驗室內。
陳平江身著無塵服，戴著口罩仔細聽著趙永鵬介紹。
「在演示之前，我有必要說下。這台機器的光源焦點功率只有43瓦，與asml的最近兩代EUV光源250-500瓦，差距還是巨大的，目前只能稱之為實驗室階段，不過我們團隊有信心，在兩年內將功率提升到200瓦。」
陳平江點了點頭，表示理解。
畢竟在EUV中光源也只是一部分，還需要其他十萬個零件一起協同配合。
但不管怎麼說，也搞定了最關鍵的一個部分。
在當前的EUV光刻機技術上，存在兩種光刻機技術路線。
一種是DPP方案（放電產生等離子體），一種是LPP方案（雷射產生等離子體）。
當前全球唯一一家能生產EUV光刻機，壟斷了全球高端光刻機市場的公司——荷蘭ASML公司，採用的就是LPP方案。
哈工大的這個「放電等離子體極紫外光刻光源」，從名字上就能看出它走的是DPP方案。
DPP方案最大的一個問題就是光源的焦點功率不足。
光刻機的光源是用來燒石頭（單晶矽）的，功率不足自然就燒不動，也就沒法蝕刻出晶片。
好在，因為專利的限制，當前中國走DPP方案的EUV光刻機研究，是要比走LPP方案容易的。
雖然當前DPP方案還無法商用，暫且無法用在EUV光刻機身上，但DPP方案技術是會進步的。
DPP方案本身優勢也不小，比如光源穩定、對清潔度要求低，以及成本更低。
並且，陳平江也不會將雞蛋放在一個籃子裡。
除了哈工大這頭，XX光電所和滬上某家研究所都有資助，大家進度不一，路線也不同。
任何一方取得最終突破，都會大大提前國產EUV光刻機問世的時間。(本章完)
滬上，華芯國際。
梁老憂心忡忡道：「晶片設計不是什麼大問題，玄武EDA完成度很高，但無論如何設計出來的晶片也只是個PPT，最終還是要落地的。」
目前，國內晶片供應鏈在部份領域已實現突破，但幾個關鍵環節仍依賴國外進口，尤其在高端晶片製造、核心設備和材料、特定晶片設計工具等方面存在顯著短板。
陳平江的天元資本早期投資那些國產晶片產業鏈是有效果的，但仍然不足以顛覆多年的差距。
孟老也道：「目前國內的晶片自給率差不多40%，高端晶片完全依賴進口，現在三星和台積電已經成功量產出7納米，我們追趕的腳步一刻也不能停下，幸好14納米製造工藝突破有望，但更高的7納米就玄乎了，光刻機始終是個繞不過去的坎兒。」
他話音一轉，「不過採用多重曝光技術的話，應該可以通過DUV實現7納米。」
好消息是長江存儲和長鑫存儲提前兩年布局，所以DRAM和NAND快閃記憶體晶片不再需要通過三星和海力士進口。
壞消息是射頻晶片和FPGA晶片仍然無法解決。
「射頻晶片的國產替代方案是唯捷創芯的產品，但良率是個大問題。」
FPGA晶片說白了就是邏輯晶片，翻譯過來叫做現場可編程門陣列。
FPGA廣泛應用於通信基站和工業控制領域，但國內廠商如紫光同創、安路科技等尚處於技術追趕階段，市場份額幾乎被賽靈思和英特爾壟斷。
雖然早就預料到突破的過程會非常難，但只有真正深入進去才知道有多難。
這就像是碼農寫代碼，但凡哪裡寫的不對，就會導致最後程序跑不通。
半導體材料領域同樣困難重重。
12英寸矽片主要依賴日本信越化學、SUMCO等企業，國產化率不足20%。
國產替代方案是滬矽產業和中環股份。
前者在去年實現12英寸矽片小規模量產，但仍處於技術驗證和產能爬坡階段；後者在8英寸矽片領域已實現穩定供應。
最慘的還要數光刻膠，尤其是ARF和EUV級別的光刻膠。
高端光刻膠幾乎全部依賴日本企業（如TOK、JSR、信越化學），國產化率低於5%。
南大光電啟動ArF光刻膠研發項目，但尚未量產；滬上新陽的KrF光刻膠處於驗證階段；晶瑞電材的g/i線光刻膠已用於中低端晶片。
除此之外還有特殊氣體、拋光材料、濺射靶材和先進封裝材料。
陳平江之前培養出華特氣體、安集科技、江豐電子和飛凱材料，這些都可以成為替代方案，但還是老問題。
純度和穩定性不足，驗證周期長！
當然了……
好消息也不是沒有。
比如江豐電子的靶材市占率全球前五，成為中芯國際、三星核心供應商。
比如安集科技的CMP拋光液打破美日壟斷，進入14nm產線。
比如南大光電的ArF光刻膠項目已經逐步量產。
梁老感慨道：「幸好你幾年前有遠見，先扶持了一批國產企業，否則我們面臨的麻煩還要更多，不過我始終是有信心的。」
陳平江含蓄的笑了笑。
他從不擔心國產晶片的未來。
即便是按照原本的時間線，到了24年國產成熟製成晶片也會迎來重大突破，出口銷售額達到千億美元。
一切所缺的不過是時間而已。
每個環節進步一點，匯合集合就是巨大的進步。
……
……
兩天後，陳平江已經從滬上趕往了祖國的最北端。
在哈工大的校園裡，陳平江見到了趙永鵬。
「哈哈，陳董，雖是初次見面，卻已經神交已久啊。」
趙永鵬親熱的同陳平江握手。
陳平江笑眯眯道：「趙教授不必客氣叫我小陳就好，今天我過來是特意對您的卓越貢獻表示感謝的。」
陳平江說不用客氣，趙永鵬哪裡敢真的叫他小陳，只當是客套話。
「軍功章也應當有你的一半，如果不是之前您的資助和多方面協助，我們也不會如此順利。」趙永鵬招招手，「我們去實驗室看看。」
陳平江來到哈工大，之前已經和校方打過招呼，希望低調處理，這才沒有引起圍觀。
這次過來完全是因為趙永鵬團隊順利研發出「放電等離子體極紫外光刻光源」的緣故。
這個項目，陳平江已經跟了好幾年，前後資助不下2000萬，並且表示不要任何智慧財產權，如今終於到了開花結果的時候。
寬敞明亮的實驗室內。
陳平江身著無塵服，戴著口罩仔細聽著趙永鵬介紹。
「在演示之前，我有必要說下。這台機器的光源焦點功率只有43瓦，與asml的最近兩代EUV光源250-500瓦，差距還是巨大的，目前只能稱之為實驗室階段，不過我們團隊有信心，在兩年內將功率提升到200瓦。」
陳平江點了點頭，表示理解。
畢竟在EUV中光源也只是一部分，還需要其他十萬個零件一起協同配合。
但不管怎麼說，也搞定了最關鍵的一個部分。
在當前的EUV光刻機技術上，存在兩種光刻機技術路線。
一種是DPP方案（放電產生等離子體），一種是LPP方案（雷射產生等離子體）。
當前全球唯一一家能生產EUV光刻機，壟斷了全球高端光刻機市場的公司——荷蘭ASML公司，採用的就是LPP方案。
哈工大的這個「放電等離子體極紫外光刻光源」，從名字上就能看出它走的是DPP方案。
DPP方案最大的一個問題就是光源的焦點功率不足。
光刻機的光源是用來燒石頭（單晶矽）的，功率不足自然就燒不動，也就沒法蝕刻出晶片。
好在，因為專利的限制，當前中國走DPP方案的EUV光刻機研究，是要比走LPP方案容易的。
雖然當前DPP方案還無法商用，暫且無法用在EUV光刻機身上，但DPP方案技術是會進步的。
DPP方案本身優勢也不小，比如光源穩定、對清潔度要求低，以及成本更低。
並且，陳平江也不會將雞蛋放在一個籃子裡。
除了哈工大這頭，XX光電所和滬上某家研究所都有資助，大家進度不一，路線也不同。
任何一方取得最終突破，都會大大提前國產EUV光刻機問世的時間。(本章完)