第2646章 追平和趕超的保證
胡長風這麼高興是有原因的，之前周至說了那麼多，都不能解開他的疑慮，就是因為他知道國家在這個產業上真正的短板在哪裡。
如果這塊短板沒有補上，那周至把生態描繪得再漂亮也沒用。
相當於土地產權在別人手上，你把花園修得再漂亮，人家說收回就可以收回，你一點辦法都沒有。
如果稀土材料的突破，真的能夠讓國家突破技術壁壘，從此擁有銅互聯晶片製造技術的話，就可以在此基礎上開始發展，最後在晶片領域達到甚至超越國際領先水平。
其實經過不懈的耕耘，信息產業現在也不再是一窮二白，起碼在存儲、工控等晶片產業上，已經取得了相當的發展和優勢，如果掌握了與銅互聯技術相匹敵的稀土材料互聯技術，胡長風完全有信心在各類晶片的高速化、小型化、複雜化方面，取得巨大突破。
就算這個技術能夠被用到現在已經非常成熟的存儲晶片上，帶給世界的震撼也是巨大的，目前華能集團已經掌握的多層迭加技術，如果能夠實現稀土材料互聯，相同體積的存儲晶片，單層的立馬可以擴容百分之三十，那十三層，就可以擴容四倍！
這就意味著50G的移動硬碟，在體積，重量，耗電不變的情況下，可以升級成200G！而現在集團最高配置的250G移動快閃記憶體式硬碟，可以跨入T級！
而讀取速度也可以同步提升百分之三十！
一旦存儲取得這樣的突破，國產作業系統占用空間比WIN和IOS多出幾百兆，還能夠叫弊端嗎？那叫作為匹配強大功能而做出的必要占用！
而兩類存儲晶片，目前已經國內已經做到了完全消化掉了快閃記憶體東芝，三星和索尼的技術，依託舛岡富士雄的發明，加上後續研發的多層迭加技術，如今已經走到了世界前列。
一項科技的突破，帶來的往往是一個產業的整體突破，如果稀土材料互聯技術真如周至所言一般，那不待自我研發的CPU如何，光對華能的存儲晶片產業而言，都是一個巨大的推動。
胡長風當然也明白周至不會白白將這麼大的一份利潤拱手送給自己，於是將兩手一攤：「你我之間，主打一個坦誠，說吧，什麼條件？」
「沒什麼條件。」周至笑得甚至有點諂媚：「除了稀土材料互聯技術外，還有一項重要的鰭式場效應電晶體技術，我們集團想讓部里簽個頭，以這兩項技術為基礎，發展出基於我們自主智慧財產權的非線性算力晶片，以GPU完成對CPU的替代，成為個人移動信息化終端設備的主流生態架構！」
「至少成為國內主流架構，世界流行架構的三甲之一。」
見胡長風還在遲疑，周至繼續說道：「其實目前我們的算力卡已經具備了這方面的能力，所欠缺的只是硬體小型化和作業系統的個人化。在算法設計層面，非線性算力卡已經能夠完美地勝任線性計算摹擬和非線性圖形渲染兩方面的工作，在算法層面已經完成了新一代GPU的設計。」
「換句話說，現在我們要研發的晶片，就是將基於舊晶片和外圍電子元器件，以及部分軟體算法，集成為新一代的GPU，整個體積和算力水平不超過最新的Pentium II，K6-2和PowerPC G4。耗電也必須接近。」
「先說說，這個鰭式場效應電晶體技術，之前就聽說過名兒，到底是怎麼回事兒？」
「鰭式場效應電晶體，全稱Fin Field-Effect Transistor，簡稱為FinFET，是一種區別於傳統MOSFET結構的新技術。」
「傳統的MOSFET結構是平面型的，其結構可以用田野來打比方，最下面一層是絕緣基質，就好比土壤，上面是元器件，分為源極與漏極兩種，就好比土地上的玉米地和麥子地，地與地之間是分離的，隔開它們的是溝道。」
「和田地不一樣的是，集成電路里的玉米地和麥子地之間是存在交流的，電子就好像農人，需要在不同的地塊上走動，但是他們的走動不是隨意的，而是通過架設在田地上的橋樑穿行，這種橋樑，在集成電路里被稱為柵極。」
「從設計理論上講，所有農人都通過橋樑在田地間穿行，是集成電路設計的最佳要求，但是由於MOSFET的平面結構設計缺陷，導致很多農人可以不經由柵極構成的橋樑，直接穿過溝道，從玉米地到達麥子地，這種現象叫做『溝道效應』，這部分不守規矩的農夫叫做『漏電流』，對於電路控制是非常不利的。」
「加州伯克利分校的胡正明教授提出了一種全新的設想，既然溝道對於抑制農人不守規矩穿梭田地的作用有限，那就換一個辦法，將田地之間的基質填高，變成一道道牆體。而以前的橋樑需要用珍貴的材質填平自己所占的那部分溝道才能過溝，現在則成了便宜的絕緣基質抬高，占用了原來橋樑過溝的空間，變成了用便宜材料替代部分珍貴材料，還解決了製造成本。」
「這樣一來，MOSFET結構的溝道，變成了由絕緣襯底上凸起的高而薄的鰭，源漏兩極分別在其兩端，三柵極緊貼其側壁和頂部。這種鰭形結構增大了柵圍繞溝道的面，加強了柵對溝道的控制，從而可以有效緩解平面器件中出現的短溝道效應，大幅改善電路控制並減少漏電流，也可以大幅縮短電晶體的柵長，也正由於該特性，FinFET無須高摻雜溝道，就能夠提高溝道載流子遷移率的同時，還有效降低雜質離子散射效應。」
「就是對元器件之間的電流控制加強了。」胡長風說道：「是這個意思吧？」
「對，這個需求在大製程的晶片上本來無需考慮。但是隨著電路越來越精細，製程越來越小，柵極對溝道的控制能力就必須越來越強。縮短柵長並抑制短溝道效應，改善電路控制，減少漏電流，也成了超大規模集成電路先進位程工藝繞不開的，必須克服的工藝技術。」
「就目前的技術發展而言，胡正明教授發明鰭式場效應電晶體技術，是最有希望在50納米製程以下實現商業化應用的。」
「我們現在不是還在準備攻克2.5微米嗎？離五十納米還早吧？」胡長風問道。
「從理論上來說，我們擁有2.5微米製程生產線以後，再使用稀土材料互聯技術，可以實現2.5微米到25納米的超大規模集成電路晶片的生產，而獲得鰭式場效應電晶體技術以後，則可以滿足50納米到5納米製程的超大規模集成電路晶片的生產。」
「兩項技術相輔相成，一項是我們追平世界的保證，而另一項，則是趕超世界的保證。」(本章完)
如果這塊短板沒有補上，那周至把生態描繪得再漂亮也沒用。
相當於土地產權在別人手上，你把花園修得再漂亮，人家說收回就可以收回，你一點辦法都沒有。
如果稀土材料的突破，真的能夠讓國家突破技術壁壘，從此擁有銅互聯晶片製造技術的話，就可以在此基礎上開始發展，最後在晶片領域達到甚至超越國際領先水平。
其實經過不懈的耕耘，信息產業現在也不再是一窮二白，起碼在存儲、工控等晶片產業上，已經取得了相當的發展和優勢，如果掌握了與銅互聯技術相匹敵的稀土材料互聯技術，胡長風完全有信心在各類晶片的高速化、小型化、複雜化方面，取得巨大突破。
就算這個技術能夠被用到現在已經非常成熟的存儲晶片上，帶給世界的震撼也是巨大的，目前華能集團已經掌握的多層迭加技術，如果能夠實現稀土材料互聯，相同體積的存儲晶片，單層的立馬可以擴容百分之三十，那十三層，就可以擴容四倍！
這就意味著50G的移動硬碟，在體積，重量，耗電不變的情況下，可以升級成200G！而現在集團最高配置的250G移動快閃記憶體式硬碟，可以跨入T級！
而讀取速度也可以同步提升百分之三十！
一旦存儲取得這樣的突破，國產作業系統占用空間比WIN和IOS多出幾百兆，還能夠叫弊端嗎？那叫作為匹配強大功能而做出的必要占用！
而兩類存儲晶片，目前已經國內已經做到了完全消化掉了快閃記憶體東芝，三星和索尼的技術，依託舛岡富士雄的發明，加上後續研發的多層迭加技術，如今已經走到了世界前列。
一項科技的突破，帶來的往往是一個產業的整體突破，如果稀土材料互聯技術真如周至所言一般，那不待自我研發的CPU如何，光對華能的存儲晶片產業而言，都是一個巨大的推動。
胡長風當然也明白周至不會白白將這麼大的一份利潤拱手送給自己，於是將兩手一攤：「你我之間，主打一個坦誠，說吧，什麼條件？」
「沒什麼條件。」周至笑得甚至有點諂媚：「除了稀土材料互聯技術外，還有一項重要的鰭式場效應電晶體技術，我們集團想讓部里簽個頭，以這兩項技術為基礎，發展出基於我們自主智慧財產權的非線性算力晶片，以GPU完成對CPU的替代，成為個人移動信息化終端設備的主流生態架構！」
「至少成為國內主流架構，世界流行架構的三甲之一。」
見胡長風還在遲疑，周至繼續說道：「其實目前我們的算力卡已經具備了這方面的能力，所欠缺的只是硬體小型化和作業系統的個人化。在算法設計層面，非線性算力卡已經能夠完美地勝任線性計算摹擬和非線性圖形渲染兩方面的工作，在算法層面已經完成了新一代GPU的設計。」
「換句話說，現在我們要研發的晶片，就是將基於舊晶片和外圍電子元器件，以及部分軟體算法，集成為新一代的GPU，整個體積和算力水平不超過最新的Pentium II，K6-2和PowerPC G4。耗電也必須接近。」
「先說說，這個鰭式場效應電晶體技術，之前就聽說過名兒，到底是怎麼回事兒？」
「鰭式場效應電晶體，全稱Fin Field-Effect Transistor，簡稱為FinFET，是一種區別於傳統MOSFET結構的新技術。」
「傳統的MOSFET結構是平面型的，其結構可以用田野來打比方，最下面一層是絕緣基質，就好比土壤，上面是元器件，分為源極與漏極兩種，就好比土地上的玉米地和麥子地，地與地之間是分離的，隔開它們的是溝道。」
「和田地不一樣的是，集成電路里的玉米地和麥子地之間是存在交流的，電子就好像農人，需要在不同的地塊上走動，但是他們的走動不是隨意的，而是通過架設在田地上的橋樑穿行，這種橋樑，在集成電路里被稱為柵極。」
「從設計理論上講，所有農人都通過橋樑在田地間穿行，是集成電路設計的最佳要求，但是由於MOSFET的平面結構設計缺陷，導致很多農人可以不經由柵極構成的橋樑，直接穿過溝道，從玉米地到達麥子地，這種現象叫做『溝道效應』，這部分不守規矩的農夫叫做『漏電流』，對於電路控制是非常不利的。」
「加州伯克利分校的胡正明教授提出了一種全新的設想，既然溝道對於抑制農人不守規矩穿梭田地的作用有限，那就換一個辦法，將田地之間的基質填高，變成一道道牆體。而以前的橋樑需要用珍貴的材質填平自己所占的那部分溝道才能過溝，現在則成了便宜的絕緣基質抬高，占用了原來橋樑過溝的空間，變成了用便宜材料替代部分珍貴材料，還解決了製造成本。」
「這樣一來，MOSFET結構的溝道，變成了由絕緣襯底上凸起的高而薄的鰭，源漏兩極分別在其兩端，三柵極緊貼其側壁和頂部。這種鰭形結構增大了柵圍繞溝道的面，加強了柵對溝道的控制，從而可以有效緩解平面器件中出現的短溝道效應，大幅改善電路控制並減少漏電流，也可以大幅縮短電晶體的柵長，也正由於該特性，FinFET無須高摻雜溝道，就能夠提高溝道載流子遷移率的同時，還有效降低雜質離子散射效應。」
「就是對元器件之間的電流控制加強了。」胡長風說道：「是這個意思吧？」
「對，這個需求在大製程的晶片上本來無需考慮。但是隨著電路越來越精細，製程越來越小，柵極對溝道的控制能力就必須越來越強。縮短柵長並抑制短溝道效應，改善電路控制，減少漏電流，也成了超大規模集成電路先進位程工藝繞不開的，必須克服的工藝技術。」
「就目前的技術發展而言，胡正明教授發明鰭式場效應電晶體技術，是最有希望在50納米製程以下實現商業化應用的。」
「我們現在不是還在準備攻克2.5微米嗎？離五十納米還早吧？」胡長風問道。
「從理論上來說，我們擁有2.5微米製程生產線以後，再使用稀土材料互聯技術，可以實現2.5微米到25納米的超大規模集成電路晶片的生產，而獲得鰭式場效應電晶體技術以後，則可以滿足50納米到5納米製程的超大規模集成電路晶片的生產。」
「兩項技術相輔相成，一項是我們追平世界的保證，而另一項，則是趕超世界的保證。」(本章完)